首页> 外文OA文献 >Analysis of 8T SRAM Cell at Various Process Corners at 65 nm Process Technology

【2h】

Analysis of 8T SRAM Cell at Various Process Corners at 65 nm Process Technology

机译：在65 nm工艺技术的不同工艺角处分析8T SRAM单元

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Shilpi Birla; Neeraj Kumar Shukla; Kapil Rathi; Rakesh Kumar Singh; Manisha Pattanaik;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2011
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Analysis of 8T SRAM Cell at Various Process Corners at 65 nm Process Technology [J] . Shilpi Birla, Neeraj Kumar Shukla, Kapil Rathi, Circuits and Systems . 2011,第4期

机译：在65 nm工艺技术的不同工艺角处分析8T SRAM单元
2. Analysis of 8T SRAM Cell at Various Process Corners at 65 nm Process Technology [J] . Shilpi Birla, Neeraj Kumar Shukla, Kapil Rathi, Circuits and systems . 2011,第4期

机译：在65 nm工艺技术的不同工艺角处分析8T SRAM单元
3. Process Corners Analysis of Data Retention Voltage (DRV) for 6T, 8T, and 10T SRAM Ceils at 45 nm [J] . Gupta Ruchi, Dasgupta S. IETE Journal of Research . 2019,第1期

机译：在45 nm下对6T，8T和10T SRAM电池的数据保持电压（DRV）的处理角分析
4. An low-energy 8T dual-port SRAM for image processor with selective sourceline drive scheme in 28-nm FD-SOI process technology [C] . Haruki Mori, Tomoki Nakagawa, Yuki Kitahara, IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems . 2016

机译：用于图像处理器的低能耗8T双端口SRAM，采用28nm FD-SOI工艺技术中的选择性源极驱动方案
5. Design and Performance Evaluation of 8T SRAM Cell Using FinFET and CMOS at 16nm Technology [D] . Mandadi, Prasanth. 2021

机译：在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
6. The use of exploratory analyses within the National Institute for Health and Care Excellence single technology appraisal process: an evaluation and qualitative analysis. [O] . Eva Kaltenthaler, Christopher Carroll, Daniel Hill-McManus, -1

机译：在美国国立卫生与医疗保健研究院（National Institute of Health and Care Excellence）单一技术评估过程中使用探索性分析：评估和定性分析。
7. Comparison analysis of three value logic 8T CNTFET SRAM Cell with 6 CMOS SRAM CELL at 32nm technology [O] . S.Tamil Selvan 2019

机译：32NM技术中具有6分CMOS SRAM单元的三个值逻辑8T CNTFET SRAM单元的比较分析

Analysis of 8T SRAM Cell at Various Process Corners at 65 nm Process Technology

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅